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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1162-Y,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1162-Y,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1162-Y,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1162-Y,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1162-Y,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI两极晶体管 - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371632&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1162-Y,LF- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1162 |
产品型号 | 2SA1162-Y,LF2SA1162-Y,LF |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | S-Mini |
其它名称 | 2SA1162-YLFCT |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 80 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 125 C |
最大直流电集电极电流 | 150 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
频率-跃迁 | 80MHz |