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  • 型号: 2SA1162-GR,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1162-GR,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1162-GR,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1162-GR,LF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 150mA 80MHz 150mW 表面贴装 S-Mini。您可以下载2SA1162-GR,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1162-GR,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI两极晶体管 - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371632&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1162-GR,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1162

产品型号

2SA1162-GR,LF2SA1162-GR,LF

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

S-Mini

其它名称

2SA1162-GRLFCT

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

80 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 125 C

最大直流电集电极电流

150 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

400

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.1 V

频率-跃迁

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