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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SA1145-O(TE6,F,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1145-O(TE6,F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1145-O(TE6,F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1145-O(TE6,F,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1145-O(TE6,F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1145-O(TE6,F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT Transistor PNP 150V 0.05A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1145-O(TE6,F,M) |
| 产品型号 | 2SA1145-O(TE6,F,M) |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | LSTM |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 最大功率耗散 | 800 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 150 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1 V |
| 集电极连续电流 | - 50 mA |
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