图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1145-O(TE6,F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1145-O(TE6,F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1145-O(TE6,F,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1145-O(TE6,F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1145-O(TE6,F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
品牌 | Toshiba |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT Transistor PNP 150V 0.05A |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1145-O(TE6,F,M) |
产品型号 | 2SA1145-O(TE6,F,M) |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/箱体 | LSTM |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
最大功率耗散 | 800 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
直流电流增益hFE最大值 | 240 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
集电极—基极电压VCBO | - 150 V |
集电极—射极饱和电压 | - 1 V |
集电极连续电流 | - 50 mA |