ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SA1036KT146Q
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- 型号： 2SA1036KT146Q
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1036KT146Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1036KT146Q价格参考￥0.81-￥1.59。ROHM Semiconductor2SA1036KT146Q封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 32V 500mA 200MHz 200mW 表面贴装 SMT3。您可以下载2SA1036KT146Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1036KT146Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1036KT146Q 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子电路中。以下是该型号晶体管的主要应用场景： 1. 功率放大器 2SA1036KT146Q 具有较高的电流增益和良好的频率特性，适用于音频功率放大器中的前置放大级或驱动级。它能够有效地放大信号，确保输出功率足够大以驱动扬声器或其他负载。 2. 开关电源 在开关电源（SMPS）中，该晶体管可以用作开关元件。通过控制基极电流，它可以快速导通和关断，实现高效的能量转换。其高耐压和低饱和电压特性使其适合用于高频开关应用，减少损耗并提高效率。 3. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，2SA1036KT146Q 可以作为功率放大级，用于驱动直流电机或步进电机。它能够承受较大的电流波动，并且具有良好的散热性能，确保长时间稳定工作。 4. 继电器驱动 该晶体管可以用于驱动电磁继电器。通过适当的基极电阻配置，它可以提供足够的电流来激活继电器线圈，从而实现对大电流负载的控制。其快速响应特性有助于减少继电器触点的磨损。 5. 传感器信号放大 在工业自动化和物联网（IoT）设备中，传感器采集的微弱信号需要被放大。2SA1036KT146Q 可以用作信号放大器，将传感器输出的微小电压变化放大到后续处理电路所需的电平。 6. 过流保护电路 在一些电源管理和保护电路中，该晶体管可以用于检测和限制过电流。当电流超过设定阈值时，晶体管会迅速响应并切断电源，防止损坏下游电路。 7. 射频（RF）应用 虽然2SA1036KT146Q 主要用于低频和中频应用，但在某些情况下，它也可以用于低功率射频放大器，特别是在需要高可靠性和稳定性的场合。 总之，2SA1036KT146Q 晶体管凭借其优异的电气特性和可靠性，在多种电子设备和电路设计中扮演着重要角色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 32V 0.5A 3-SMT两极晶体管 - BJT PNP 32V 0.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SA1036KT146Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1036KT146Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 30mA，300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 2SA1036KT146QDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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