ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002WT3G
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- 型号： 2N7002WT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002WT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002WT3G价格参考。ON Semiconductor2N7002WT3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 310mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）。您可以下载2N7002WT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002WT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002WT3G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于小型表面贴装器件，广泛应用于多种电子电路中，尤其适用于需要低电压、低电流操作的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - 2N7002WT3G 常用于低压电源开关和负载开关，能够有效控制电源通断，适用于电池供电设备、移动设备、便携式电子产品等。 - 在 DC-DC 转换器中，作为同步整流 MOSFET，提高转换效率，降低功耗。 2. 信号切换： - 该 MOSFET 可用于模拟和数字信号的切换，例如在音频设备、传感器接口、通信设备中，实现信号路径的选择与隔离。 - 在多路复用器和解复用器中，用于快速切换不同的输入输出通道。 3. 保护电路： - 2N7002WT3G 可用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路，防止下游电路因异常情况而受损。 - 在 USB 端口保护中，防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压对敏感元件造成损害。 4. 电机驱动： - 适用于小功率直流电机或步进电机的驱动，通过 PWM（脉宽调制）控制电机速度和方向。 - 在智能家居、消费电子、玩具等领域的小型电机控制系统中广泛应用。 5. 电池管理系统： - 用于锂电池、镍氢电池等可充电电池的充放电管理，确保电池安全运行，延长使用寿命。 - 在电池保护板中，作为关键的开关元件，监控电池状态并执行相应的保护措施。 6. 其他应用： - 在 LED 驱动电路中，用于调节亮度和颜色变化，适用于显示屏背光、照明系统等。 - 在工业自动化、汽车电子、医疗设备等领域，作为通用的开关和放大元件。 总之，2N7002WT3G 凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑的封装尺寸，成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH SINGLE 60V SOT-323 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N7002WT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 24.5pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 280mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 310mA （Ta） |
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