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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002W由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002W价格参考¥0.24-¥0.24。Fairchild Semiconductor2N7002W封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323。您可以下载2N7002W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002W是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单通道增强型N沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号的MOSFET因其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,在多个应用场景中得到广泛应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:2N7002W常用于低压降电源电路,如线性稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统。它能够高效地控制电流流动,实现精确的电压调节,同时减少能量损耗。 2. 负载开关:在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,2N7002W作为负载开关,用于动态控制不同模块的供电状态。这有助于延长电池寿命并提高系统的整体能效。 3. 信号切换:在通信设备和音频处理系统中,2N7002W可用于信号路径的选择与切换。例如,在多路复用器或解复用器中,它可以快速准确地切换不同的输入/输出端口。 4. 电机驱动:对于小型直流电机或步进电机的驱动应用,2N7002W可以提供足够的驱动能力,确保电机平稳运行。此外,它还可以用于过流保护电路,防止电机因过载而损坏。 5. LED驱动:在LED照明系统中,2N7002W可用于调光控制和恒流源设计。通过调整栅极电压,可以改变LED的工作电流,从而实现亮度调节功能。 6. ESD保护:由于具备良好的静电放电(ESD)耐受性能,2N7002W也适用于需要防静电保护的接口电路,如USB端口或其他数据传输接口。 总之,2N7002W凭借其出色的电气特性,在众多电子设备中扮演着重要角色,特别是在那些对功耗敏感且要求快速响应的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
Id-连续漏极电流 | 115 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor 2N7002W- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N7002W |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7500 mOhms at 5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70 |
其它名称 | 2N7002WCT |
典型关闭延迟时间 | 12.5 ns |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA(Ta) |
系列 | 2N7002 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |