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2N7002W-TP产品简介:
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2N7002W-TP 是由 Micro Commercial Co 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它属于低电压、低功耗的器件,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用 2N7002W-TP 常用于开关电路中,特别是在需要快速响应和低导通电阻的应用场景。它的典型工作电压范围为 -0.5V 至 +60V,最大漏极电流可达 300mA,因此适用于驱动小型负载,如 LED、继电器、小型电机等。 2. 电源管理 在电源管理系统中,2N7002W-TP 可以作为低压降开关使用,帮助实现高效的电源转换。例如,在 DC-DC 转换器、线性稳压器或电池管理系统中,它可以用于控制电流流动,确保电路在不同负载条件下稳定工作。 3. 信号调理 该 MOSFET 还可以用于信号调理电路,尤其是在需要对模拟信号进行放大或滤波的场合。由于其低栅极电荷和快速开关特性,2N7002W-TP 在高频信号处理中表现出色,能够有效减少信号失真。 4. 保护电路 2N7002W-TP 经常被用作过流保护或短路保护元件。通过检测电流大小并及时切断电路,它可以防止后端电路因过载而损坏。此外,它还可以用于热插拔保护电路中,确保设备在插入或拔出时不会受到瞬态电压的影响。 5. 音频设备 在一些便携式音频设备中,2N7002W-TP 可以用于音频信号的放大和驱动扬声器。由于其低噪声特性和良好的线性度,它可以提供清晰且不失真的音频输出。 6. 通信设备 在通信领域,2N7002W-TP 可以用于射频前端电路中的开关和调制功能。它的小封装尺寸和低功耗特性使其非常适合手持设备和其他便携式通信装置。 总的来说,2N7002W-TP 具有广泛的适用性,能够在多种应用场景中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323MOSFET SNGL N-CH 60V 115mA |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
Id-连续漏极电流 | 115 mA |
品牌 | Micro Commercial Co |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Micro Commercial Components (MCC) 2N7002W-TP- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N7002W-TP |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | 2N7002W-TPMSTR |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 80 ms |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA(Ta) |
系列 | 2N7002 |