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  • 型号: 2N7002PS,125
  • 制造商: NXP Semiconductors
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2N7002PS,125产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002PS,125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002PS,125价格参考。NXP Semiconductors2N7002PS,125封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 320mA 420mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载2N7002PS,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002PS,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N7002PS是一种常见的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其最大漏源电压\(V_{DS}\)为60V,最大栅源电压\(V_{GS}\)为±20V,连续漏极电流\(I_{D}\)在25℃时可达11A。而“125”可能是特定应用或封装的标识,这里主要讨论2N7002PS的应用场景。

 1. 开关电源
2N7002PS常用于开关电源中的功率开关。由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于DC-DC转换器、PWM控制器等场合。它能够有效地控制电流的通断,减少能量损耗,提高电源效率。

 2. 负载切换
在需要频繁切换负载的电路中,2N7002PS可以作为负载开关使用。例如,在电池管理系统(BMS)中,它可以用来切断或接通电池与负载之间的连接,防止过流、短路等情况的发生。

 3. 电机驱动
2N7002PS适用于小功率电机驱动,如步进电机、直流电机等。通过控制栅极电压,可以实现对电机转速和方向的精确控制。其低导通电阻有助于减少发热,延长器件寿命。

 4. 信号隔离
在一些需要电气隔离的电路中,2N7002PS可以用作光耦合器的输出级。通过光电耦合器将输入信号传递给MOSFET,从而实现高低压侧的电气隔离,确保系统的安全性。

 5. 保护电路
2N7002PS还广泛应用于各种保护电路中,如过流保护、短路保护等。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速关断,保护后续电路免受损坏。

 6. 音频放大器
在某些低功耗音频放大器设计中,2N7002PS可以用作输出级驱动器。它的快速响应特性和低噪声性能使得它在音频信号处理方面表现出色。

总之,2N7002PS凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高效能、低功耗和快速响应的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPMOSFET N-CH 60 V 320 mA

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-连续漏极电流

320 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002PS,125-

数据手册

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产品型号

2N7002PS,125

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

280 mW

Pd-功率耗散

280 mW

Qg-GateCharge

0.8 nC

Qg-栅极电荷

0.8 nC

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-10456-6

功率-最大值

420mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.6 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

400 mS

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

320 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

320mA

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