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  • 型号: 2N7002PS,125
  • 制造商: NXP Semiconductors
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2N7002PS,125产品简介:

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2N7002PS,125 是由 Nexperia USA Inc. 生产的晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 阵列类别。这种型号的 MOSFET 主要应用于低电压、低电流的开关和信号处理电路中,广泛用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中,作为开关元件或负载开关,实现高效的电源转换和控制。
   
2. 信号切换:
   - 在音频、视频等信号传输系统中,2N7002PS,125 可以用作信号切换元件,实现多路信号的选择和隔离,确保信号的稳定传输。

3. 保护电路:
   - 该器件可以用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应和低导通电阻特性,有效保护下游电路免受过载损坏。

4. 电机驱动:
   - 在小型电机驱动应用中,如步进电机、直流电机等,2N7002PS,125 可以作为驱动电路的一部分,提供精确的电流控制和方向控制。

5. 便携式设备:
   - 由于其低功耗和小封装特点,该 MOSFET 广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中,作为电源管理和信号处理的关键元件。

6. 传感器接口:
   - 在传感器接口电路中,2N7002PS,125 可以用于信号放大、滤波和隔离,确保传感器信号的准确性和稳定性。

7. 通信设备:
   - 在无线通信模块、调制解调器等设备中,该 MOSFET 可用于射频前端电路,实现信号的开关和放大功能。

8. 智能家居:
   - 在智能插座、智能灯泡等智能家居产品中,2N7002PS,125 可以用于控制电路,实现远程开关和功率调节功能。

总之,2N7002PS,125 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,成为众多电子设备中不可或缺的元件,适用于多种需要高效、稳定的开关和信号处理的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPMOSFET N-CH 60 V 320 mA

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-连续漏极电流

320 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002PS,125-

数据手册

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产品型号

2N7002PS,125

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

280 mW

Pd-功率耗散

280 mW

Qg-GateCharge

0.8 nC

Qg-栅极电荷

0.8 nC

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-10456-6

功率-最大值

420mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.6 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

400 mS

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

320 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

320mA

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