【晶体管 - FET，MOSFET - 单_2N7002LT3】封装/厂家_2N7002LT3中文资料_价格

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型号： 2N7002LT3
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002LT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002LT3价格参考。ON Semiconductor2N7002LT3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载2N7002LT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002LT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N7002LT3 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这种类型的晶体管在许多电子电路中都有广泛的应用，尤其是在需要高效开关和低功耗的场景中。以下是 2N7002LT3 的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
2N7002LT3 常用于电源管理电路中，作为开关元件。它可以在低压环境下提供高效的电流控制，适用于电池供电设备、便携式电子产品等。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以减少功率损耗，提高能效。

 2. 信号切换
该器件适合用于模拟和数字信号的切换。例如，在音频设备中，它可以用来切换不同的输入源或输出路径，而不会对信号质量产生显著影响。其快速开关特性使其能够处理高频信号，确保信号的完整性和稳定性。

 3. 电机驱动
2N7002LT3 可以用于小型直流电机的驱动电路中。通过控制栅极电压，它可以精确地调节电机的速度和方向。由于其低导通电阻，电机运行时的发热较少，提高了系统的可靠性和寿命。

 4. 负载控制
在需要控制负载电流的电路中，2N7002LT3 可以作为一个高效的开关。例如，在LED照明系统中，它可以用来控制多个LED灯的亮灭，或者调节亮度。此外，它还可以用于其他类型的负载控制，如加热元件、风扇等。

 5. 保护电路
该MOSFET常用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时，可以通过关闭MOSFET来切断电流路径，从而保护后续电路免受损坏。其快速响应时间使得它能够在短时间内做出反应，确保系统的安全性。

 6. 通信设备
在通信设备中，2N7002LT3 可以用于射频（RF）前端电路中的开关应用。它的低电容和快速开关特性使其非常适合高频信号的处理，能够有效减少信号干扰和失真。

总的来说，2N7002LT3 凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电子设备中扮演着重要的角色，特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	2N7002LT3
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	50pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	7.5 欧姆 @ 500mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	225mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	10,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	115mA （Tc）