ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002LT1
Datasheet下载- 型号： 2N7002LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002LT1价格参考。ON Semiconductor2N7002LT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载2N7002LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002LT1是由ON Semiconductor生产的单通道增强型N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号的MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 2N7002LT1常用于电源管理系统中，作为开关元件控制电流的通断。它可以用于DC-DC转换器、线性稳压器等电路中，帮助实现高效的电压调节。由于其低导通电阻特性，能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。 2. 信号切换 在信号处理电路中，2N7002LT1可以用作模拟或数字信号的开关。它能够快速响应输入信号的变化，确保信号的准确传输。例如，在音频设备、传感器接口等应用中，它可以用来选择不同的信号路径或隔离特定的信号源。 3. 负载控制 该MOSFET适用于各种负载控制场景，如LED驱动、电机控制等。通过控制栅极电压，可以精确调节输出电流，从而实现对负载的高效控制。此外，它的快速开关特性使得它在脉宽调制（PWM）应用中表现出色，能够实现平稳的电流调节和节能效果。 4. 保护电路 2N7002LT1还可以用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时，MOSFET可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。它的高可靠性和低功耗特性使其成为保护电路的理想选择。 5. 便携式设备 由于2N7002LT1的小封装尺寸和低功耗特性，它非常适合用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。这些设备通常需要紧凑且高效的电源管理方案，而2N7002LT1能够在有限的空间内提供出色的性能。 总之，2N7002LT1凭借其优异的电气特性，广泛应用于电源管理、信号切换、负载控制、保护电路以及便携式设备等领域，是现代电子设计中的重要元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N7002LT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | 2N7002LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
