【晶体管 - FET，MOSFET - 单_2N7002ET3G】封装/厂家_2N7002ET3G中文资料_价格

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型号： 2N7002ET3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002ET3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002ET3G价格参考。ON Semiconductor2N7002ET3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 260mA（Ta） 300mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载2N7002ET3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002ET3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N7002ET3G是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单个MOSFET晶体管，具体属于N沟道增强型金属氧化物场效应晶体管（NMOS）。它在多个应用场景中发挥着重要作用，尤其是在低压、低功耗的电路设计中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   2N7002ET3G常用于电源管理电路中，作为开关元件。它的低导通电阻（Rds(on)）使得它在开关状态下能够有效地减少功率损耗，适用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统。它能够在负载电流较小时提供高效的开关控制，适合便携式设备、电池供电系统等对功耗敏感的应用。

 2. 信号切换与保护
   在信号切换和保护电路中，2N7002ET3G可以作为开关来控制信号的传输路径。例如，在音频设备中，它可以用于切换不同的输入源或输出通道。此外，它还可以用于过流保护、短路保护等场合，通过快速响应过载情况，切断电流路径，保护下游电路免受损坏。

 3. 电机驱动
   对于小型直流电机或步进电机的驱动，2N7002ET3G可以用作驱动级的开关元件。它能够承受一定的电流和电压波动，确保电机在启动、运行和停止时的稳定性和可靠性。由于其低导通电阻，电机驱动电路中的能量损失较小，提高了整体效率。

 4. 消费电子与家电
   在消费电子产品和家用电器中，2N7002ET3G广泛应用于各种控制电路。例如，在智能家电中，它可以用于控制风扇、泵、显示器背光等组件的开关状态。由于其体积小、功耗低，非常适合集成到紧凑的电路板设计中，满足现代电子产品的小型化需求。

 5. 工业自动化
   在工业自动化领域，2N7002ET3G可用于传感器接口、继电器驱动、信号隔离等场景。它可以在较低的工作电压下提供稳定的开关性能，适合用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块等工业控制系统中。

总的来说，2N7002ET3G凭借其优异的电气特性、可靠的性能和广泛的应用范围，成为许多电子设备和系统中的关键元件，尤其适用于需要高效、低功耗开关控制的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	2N7002ET3G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	26.7pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.81nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.5 欧姆 @ 240mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	300mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	10,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	260mA （Ta）