【晶体管 - FET，MOSFET - 单_2N7002E】封装/厂家_2N7002E中文资料_价格

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型号： 2N7002E
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002E由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002E价格参考。NXP Semiconductors2N7002E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 240mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载2N7002E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

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参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23MOSFET Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	300 mA
Id-连续漏极电流	300 mA
品牌	Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic
产品手册	http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+3+CDL7001+2N7002E+7+WW
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Panasonic 2N7002E-
数据手册	http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDL7001+2N7002E+8+WW
产品型号	2N7002E2N7002E
Pd-PowerDissipation	350 mW
Pd-功率耗散	350 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	3 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	3 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	40pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.8nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3 欧姆 @ 100mA、 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	2N7002EDKR
功率-最大值	350mW
包装	Digi-Reel®
商标	Panasonic
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	Mini-3-R1-B
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	300mA（Ta）
系列	2N7002
通道模式	Enhancement
配置	Single

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	2N7002E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	21pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.6nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3 欧姆 @ 250mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	350mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	240mA（Ta）