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Datasheet下载- 型号： 2N7002E,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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2N7002E,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002E,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002E,215价格参考￥0.26-￥0.26。NXP Semiconductors2N7002E,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 385mA (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount TO-236AB。您可以下载2N7002E,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002E,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23MOSFET TAPE7 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 385 mA |
| Id-连续漏极电流 | 385 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002E,215TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002E,215 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 780 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 780 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4858-6 |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 780 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 385 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 385mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7002E T/R |
