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Datasheet下载- 型号： 2N7002DWA-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002DWA-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002DWA-7价格参考。Diodes Inc.2N7002DWA-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 180mA 300mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载2N7002DWA-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002DWA-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002DWA-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列。这类器件广泛应用于多种电子电路中，主要用于开关和放大功能。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理：2N7002DWA-7 常用于电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。它能够高效地控制电流的通断，从而实现对电源的精确管理。由于其低导通电阻（Rds(on)），在高频率操作下也能保持较低的功耗。 2. 信号切换：在通信设备和消费电子产品中，这款 MOSFET 可用于信号切换。例如，在音频设备中，它可以作为音量控制或通道选择的开关；在数据传输线路中，它能快速切换信号路径，确保数据的准确传递。 3. 负载控制：在工业自动化和家电产品中，2N7002DWA-7 适用于控制各种负载，如电机、LED 灯具、加热元件等。通过调节栅极电压，可以精准控制负载的工作状态，提高系统的响应速度和稳定性。 4. 保护电路：该器件还常用于设计过流保护、短路保护等安全机制。当检测到异常电流时，MOSFET 可以迅速切断电路，防止损坏其他组件。此外，它还可以与其他保护元件配合使用，构建更完善的防护体系。 5. 便携式设备：由于其小型化封装（如 SOT-23 或者更小的封装形式），2N7002DWA-7 在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等领域也有广泛应用。这些设备通常需要紧凑且高效的功率管理方案，而此款 MOSFET 恰好满足需求。 总之，2N7002DWA-7 凭借其优良的电气特性、可靠性和灵活性，在众多电子应用领域发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363MOSFET Dual N-Ch 60V Enh 8Ohm at 5V VGS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated 2N7002DWA-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002DWA-7 |
| Pd-PowerDissipation | 400 mW |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| Qg-GateCharge | 0.87 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.87 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.8 V |
| 上升时间 | 3.2 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 22pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 115mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | 2N7002DWA-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 80 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA |
| 系列 | 2N7002D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain Dual Source Dual Gate |
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