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Datasheet下载- 型号： 2N7002BKV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002BKV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002BKV,115价格参考。NXP Semiconductors2N7002BKV,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 340mA 350mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载2N7002BKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002BKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002BKV,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沾极 MOSFET 阵列晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电路 - 该型号的 MOSFET 常用于各种开关电路中，例如电源管理模块中的负载开关。它能够快速切换导通和截止状态，适用于需要低功耗和高效能的设备。 - 应用实例：手机充电器、USB 集线器、便携式电子设备。 2. 信号切换 - 在信号处理电路中，2N7002BKV,115 可以作为信号切换元件，用于控制不同信号路径的开启或关闭。 - 应用实例：音频设备中的通道切换、数据传输线路的切换。 3. 电机驱动 - 该 MOSFET 能够驱动小型直流电机或步进电机，适合用于低电压、小功率的电机控制场景。 - 应用实例：玩具、家用电器（如风扇、泵）的电机控制。 4. 电源管理 - 在 DC-DC 转换器或稳压器中，2N7002BKV,115 可作为开关元件使用，帮助实现高效的电压转换。 - 应用实例：锂电池管理系统、太阳能充电控制器。 5. 保护电路 - 该器件可用于过流保护、短路保护等电路设计中，通过快速切断电流来保护后端电路。 - 应用实例：电池保护板、汽车电子设备。 6. 嵌入式系统 - 在微控制器或单片机外围电路中，2N7002BKV,115 可作为驱动元件，用于控制 LED、继电器或其他外设。 - 应用实例：智能家居设备、物联网终端。 特性优势 - 低导通电阻：有助于减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用场合。 - 小型封装：节省空间，便于集成到紧凑型设计中。 总结来说，2N7002BKV,115 主要应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，尤其适合低电压、小电流的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 340 mA |
| Id-连续漏极电流 | 340 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002BKV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 525 mW |
| Pd-功率耗散 | 525 mW |
| Qg-GateCharge | 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 nS |
| 下降时间 | 7 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 2N7002BKV,115-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 12 nS |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 550 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 340mA |
| 配置 | Dual |
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