数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002BKT,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002BKT,115价格参考。NXP Semiconductors2N7002BKT,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N7002BKT,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002BKT,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416MOSFET Single N-Channel 60V 290mA |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 290 mA |
Id-连续漏极电流 | 290 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKT,115- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N7002BKT,115 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 260 mW |
Pd-功率耗散 | 260 mW |
Qg-GateCharge | 0.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 6 ns |
下降时间 | 7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-75 |
其它名称 | 2N7002BKT,115-ND |
典型关闭延迟时间 | 5 ns |
功率-最大值 | 260mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SOT-416-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 550 mS |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 290mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |