ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002BKMB,315
Datasheet下载- 型号： 2N7002BKMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002BKMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002BKMB,315价格参考。NXP Semiconductors2N7002BKMB,315封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 450mA（Ta） 360mW（Ta） DFN1006B-3。您可以下载2N7002BKMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002BKMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002BKMB,315 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关应用 - 电源管理：用于 DC-DC 转换器、开关稳压器或负载开关中，控制电流的通断。 - 继电器替代：在需要快速切换的电路中，用作固态继电器，替代传统机械继电器。 - 信号切换：用于音频、视频或其他信号路径中的开关功能。 2. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流大小，利用 MOSFET 的限流特性实现过流保护。 - 短路保护：设计为快速切断异常电流路径，避免损坏其他元器件。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于低功率电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路：与其他 MOSFET 配合，实现电机正反转和制动功能。 4. 便携式设备 - 电池管理：适用于手机、平板电脑等便携设备中的电池充放电管理。 - 负载控制：用于控制外围设备（如 LED、传感器）的供电状态。 5. 信号放大 - 在低功率信号放大电路中，作为小信号 MOSFET 使用，放大弱电信号。 6. 通信与网络设备 - 数据通信接口：用于 RS-232、USB 等接口的信号切换或保护。 - 网络设备电源：在路由器、交换机等设备中，用于电源分配和管理。 7. 汽车电子 - LED 照明驱动：用于车内氛围灯、仪表盘背光等 LED 照明的开关控制。 - 传感器接口：在汽车传感器电路中，用于信号隔离或放大。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，如 PWM 控制。 - 小型封装：节省 PCB 空间，便于小型化设计。 总之，2N7002BKMB,315 因其高性能、低成本和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFNMOSFET N-Chan 60V 450mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
| Id-连续漏极电流 | 450 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKMB,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002BKMB,315 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 715 mW |
| Pd-功率耗散 | 715 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 450mA， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10438-6 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN1006B-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 450 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 450mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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