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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFNMOSFET N-Chan 60V 450mA |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
Id-连续漏极电流 | 450 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKMB,315- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N7002BKMB,315 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 715 mW |
Pd-功率耗散 | 715 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 450mA, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-DFN1006B(0.6x1) |
其它名称 | 568-10438-6 |
功率-最大值 | 360mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1.6 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
封装/箱体 | DFN1006B-3 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 450 mA |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 450mA (Ta) |
配置 | Single |