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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
Id-连续漏极电流 | 120 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor 2N7002- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N7002 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | 2N7002N |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 0.08 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA (Ta) |
系列 | 2N7002 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | 2N7002_NL |
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