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Datasheet下载- 型号： 2N7002-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002-T1-GE3价格参考。Vishay2N7002-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236。您可以下载2N7002-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的2N7002-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中，尤其适用于低电压、低电流的应用场景。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理 2N7002-T1-GE3常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在低电压环境下提供良好的性能。其低栅极电荷特性使得开关速度较快，适合高频开关应用。 2. 信号切换 在需要对信号进行快速切换的场合，如音频信号切换、数据线切换等，2N7002-T1-GE3可以作为信号开关使用。它的低导通电阻和快速响应时间使其成为理想的信号切换元件，尤其是在低功耗和高可靠性的要求下。 3. 负载控制 该MOSFET适用于控制小型电机、LED灯、继电器等负载。由于其低导通电压和较小的封装尺寸，2N7002-T1-GE3非常适合用于便携式设备或空间受限的应用中。它可以有效地控制负载的开启和关闭，同时保持较低的功耗。 4. 电池保护电路 在电池管理系统中，2N7002-T1-GE3可用于防止过充、过放以及短路等问题。通过精确控制充电和放电回路，确保电池的安全性和延长使用寿命。其低漏电流特性有助于减少电池的自放电。 5. 通信设备 在通信设备中，2N7002-T1-GE3可以用于信号隔离、功率放大器的偏置控制等。它的小封装和低功耗特性使其非常适合用于手机、无线模块等便携式通信设备中。 6. 消费电子 该MOSFET还广泛应用于消费电子产品中，如平板电脑、笔记本电脑、智能手表等。它在这些设备中的主要作用是电源管理、信号切换和负载控制，帮助实现更高效的能源利用和更好的用户体验。 总之，2N7002-T1-GE3凭借其低导通电阻、小封装、快速响应等特点，成为许多低电压、低电流应用的理想选择，特别适合于便携式设备、电源管理和信号处理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix 2N7002-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002-T1-GE32N7002-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
| 其它名称 | 2N7002-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 80 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA（Ta） |
| 系列 | 2N7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7002-GE3 |
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