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Datasheet下载- 型号： 2N7002-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002-T1-E3价格参考。Vishay2N7002-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236。您可以下载2N7002-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N7002-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。该型号具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 2N7002-T1-E3 常用于电源管理电路中，尤其是在低压应用中表现优异。它可以在开关电源（SMPS）、线性稳压器等电路中作为开关元件使用，帮助实现高效的电压调节和电流控制。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在导通状态下功耗较低，适合电池供电的便携式设备。 2. 信号切换 该 MOSFET 可用于模拟和数字信号的切换。例如，在音频设备中，它可以用来切换不同的输入源或输出路径，确保信号的可靠传输。由于其快速的开关速度，能够有效减少信号延迟和失真。 3. 负载控制 在工业自动化和消费电子领域，2N7002-T1-E3 可用于控制各种负载，如电机、LED 灯、继电器等。通过控制栅极电压，可以精确地控制这些负载的开启和关闭，实现节能和延长设备寿命的效果。 4. 保护电路 该 MOSFET 还可用于过流保护和短路保护电路中。当检测到异常电流时，MOSFET 可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。此外，它还可以用于反向电压保护，防止电源极性接反时对电路造成损害。 5. 通信设备 在通信设备中，2N7002-T1-E3 可用于射频（RF）前端模块中的开关应用，帮助实现天线切换、功率放大器的控制等功能。其低寄生电容和快速响应特性使其非常适合高频信号处理。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车身控制模块（BCM）、电动座椅驱动、车窗升降器等应用中。它能够在高温环境下稳定工作，并且具备良好的抗干扰能力，确保汽车电子系统的可靠运行。 总之，Vishay Siliconix 的 2N7002-T1-E3 由于其出色的性能和广泛的适用性，成为许多电子产品设计中的理想选择，尤其适用于需要高效、可靠开关操作的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23MOSFET 60V 0.115A 0.2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix 2N7002-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002-T1-E32N7002-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
| 其它名称 | 2N7002-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA（Ta） |
| 系列 | 2N7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7002-E3 |
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