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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002 TR由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002 TR价格参考。Central Semiconductor2N7002 TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Tc) 350mW(Ta) SOT-23。您可以下载2N7002 TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002 TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
Id-连续漏极电流 | 115 mA |
品牌 | Central Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET N-Ch 60V .2A |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Central Semiconductor 2N7002 TR |
产品型号 | 2N7002 TR |
Pd-PowerDissipation | 350 mW |
Pd-功率耗散 | 350 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
商标 | Central Semiconductor |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 6.2 Ohms |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
正向跨导-最小值 | 80 mS |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 115 mA |
系列 | 2N7002 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |