ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7000BU
Datasheet下载- 型号： 2N7000BU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7000BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7000BU价格参考￥0.20-￥0.20。Fairchild Semiconductor2N7000BU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3。您可以下载2N7000BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7000BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7000BU是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款增强型N沟道MOSFET晶体管。它具有低导通电阻、快速开关速度和小封装尺寸等特点，适用于多种低压、小电流的应用场景。 应用场景 1. 电源管理： - 2N7000BU常用于低压电源管理电路中，如电池供电设备的电源开关。它可以有效地控制电源的通断，减少静态功耗，延长电池寿命。 - 在线性稳压器或DC-DC转换器中，作为辅助开关或负载开关使用。 2. 信号切换： - 在音频设备、传感器接口等需要信号切换的场合，2N7000BU可以用作模拟开关，实现不同信号路径的选择。 - 它也可以用于数字信号的隔离和传输，确保信号完整性。 3. 电机驱动： - 对于小型直流电机或步进电机的驱动，2N7000BU可以作为功率级的一部分，控制电机的启动、停止和方向。 - 在一些简单的机器人控制系统中，它能够驱动小型执行机构。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护等电路中，2N7000BU可以作为关键元件，当检测到异常电流时迅速切断电路，保护其他元器件免受损坏。 - 也可用于热插拔保护，防止插入或拔出设备时产生浪涌电流。 5. 消费电子产品： - 在智能手机、平板电脑等便携式设备中，2N7000BU用于控制USB接口的电源输出，确保设备在连接外部设备时的安全性和稳定性。 - 在键盘、鼠标等外设中，作为按键扫描电路中的开关元件。 6. 工业自动化： - 在PLC（可编程逻辑控制器）中，2N7000BU可以作为输入输出模块的开关元件，控制各种传感器和执行器的工作状态。 - 在智能家居系统中，用于控制灯光、风扇等家电设备的开关。 总之，2N7000BU因其性能稳定、成本低廉，在各类电子设备中得到了广泛应用，尤其是在低压、小电流和对体积要求严格的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92MOSFET 60V N-Channel Sm Sig |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor 2N7000BU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7000BU |
| Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 179 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA（Tc） |
| 系列 | 2N7000 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7000BU_NL |
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