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  • 型号: 2N6517BU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6517BU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6517BU价格参考。Fairchild Semiconductor2N6517BU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6517BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6517BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N6517BU-

数据手册

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产品型号

2N6517BU

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20 @ 50mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

散装

单位重量

179 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

200 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

2N6517

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

350 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

0.5 A

零件号别名

2N6517BU_NL

频率-跃迁

200MHz

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