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  • 型号: 2N6123
  • 制造商: Central Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6123由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6123价格参考。Central Semiconductor2N6123封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6123参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6123 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N6123

产品型号

2N6123

产品种类

Power Transistors

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Central Semiconductor

增益带宽产品fT

2.5 MHz

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/箱体

TO-220

工厂包装数量

400

晶体管极性

NPN

最大功率耗散

40 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最小工作温度

- 65 C

直流集电极/BaseGainhfeMin

20

系列

2N6123

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

1.4 V

集电极连续电流

0.45 A

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