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  • 型号: 2N6036G
  • 制造商: ON Semiconductor
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2N6036G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6036G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6036G价格参考。ON Semiconductor2N6036G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 80V 4A 40W 通孔 TO-225AA。您可以下载2N6036G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6036G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N6036G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于需要高增益、中等功率和快速开关特性的电路中。以下是其典型应用场景:

1. 音频放大器:  
   2N6036G 具有较高的电流增益(hFE),适用于低至中功率的音频信号放大,例如前置放大器或小型扬声器驱动电路。

2. 开关电路:  
   由于其良好的开关特性,2N6036G 可用于数字逻辑电平转换、继电器驱动或 LED 驱动等场景。

3. 脉宽调制 (PWM) 控制:  
   在需要高效调节输出功率的应用中,如小型电机控制或直流-直流转换器,2N6036G 可作为开关元件使用。

4. 传感器信号调理:  
   该晶体管可用于将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的电平范围,例如在工业自动化或家用设备中。

5. 电源管理:  
   在一些简单的线性稳压器或负载调节电路中,2N6036G 可以充当关键的电流控制元件。

6. 通信设备:  
   因其频率响应较高,2N6036G 还可以用于射频(RF)低功率放大或混频电路中。

总结来说,2N6036G 的主要优势在于其适中的功率处理能力和较快的切换速度,因此非常适合于消费电子、工业控制以及通信领域中的多种应用场合。选择具体应用场景时,需根据实际需求考虑其最大集电极电流(Ic)、电压(Vce)和功耗(Ptot)等参数限制。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL PNP 4A 80V TO225AA达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6036G-

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产品型号

2N6036G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 40mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

750 @ 2A,3V

产品目录页面

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

2N6036GOS

功率-最大值

40W

功率耗散

40 W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TO-225-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最大集电极截止电流

500 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100, 500, 750

系列

2N6036

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

-

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