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产品简介:
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2N5951_D27Z 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。该型号专为高频和射频应用设计,具有低噪声、高增益和高线性度的特点,适合在无线通信、射频放大器和其他高频电子设备中使用。 以下是 2N5951_D27Z 的主要应用场景: 1. 射频放大器 - 用于低噪声放大器(LNA)的设计,特别是在接收机前端,能够有效放大微弱的射频信号,同时保持较低的噪声水平。 - 在功率放大器中,可以用于驱动级或中间级放大,提供高增益和高效率。 2. 无线通信设备 - 应用于蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙等无线通信系统中的信号放大和处理。 - 适用于基站、移动终端、路由器等设备中的射频模块。 3. 射频混频器与振荡器 - 作为混频器的核心元件,用于频率转换。 - 在射频振荡器中,提供稳定的高频信号输出。 4. 测试与测量设备 - 在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中,用于信号放大和处理。 - 提供高精度和高稳定性的射频性能。 5. 卫星通信与雷达系统 - 用于卫星通信系统的射频前端模块,提高信号传输质量。 - 在雷达系统中,作为发射机或接收机的一部分,实现信号放大和处理。 6. 工业与医疗设备 - 在工业无线控制设备中,用于信号传输和处理。 - 在医疗成像设备(如超声波设备)中,用于高频信号的放大和滤波。 性能特点 - 低噪声系数:适合对噪声敏感的应用场景。 - 高增益:能够在高频条件下提供足够的信号放大能力。 - 高线性度:减少信号失真,确保高质量的射频传输。 - 宽频率范围:支持从几十 MHz 到 GHz 的高频应用。 总之,2N5951_D27Z 是一款高性能的射频 MOSFET,广泛应用于需要高频信号处理的各种领域。选择该器件时,需根据具体电路设计要求,结合其电气参数进行合理选型和应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | AMP RF N-CHAN 30V TO-92 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5951_D27Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-输出 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | 2dB |
增益 | - |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
晶体管类型 | N 通道 JFET |
标准包装 | 2,000 |
电压-测试 | 15V |
电压-额定 | 30V |
电流-测试 | - |
频率 | 1kHz |
额定电流 | 13mA |