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  • 型号: 2N5951_D27Z
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5951_D27Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5951_D27Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N5951_D27Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道 JFET 15V 1kHz TO-92-3。您可以下载2N5951_D27Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5951_D27Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5951_D27Z 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。该型号专为高频和射频应用设计,具有低噪声、高增益和高线性度的特点,适合在无线通信、射频放大器和其他高频电子设备中使用。

以下是 2N5951_D27Z 的主要应用场景:

 1. 射频放大器
   - 用于低噪声放大器(LNA)的设计,特别是在接收机前端,能够有效放大微弱的射频信号,同时保持较低的噪声水平。
   - 在功率放大器中,可以用于驱动级或中间级放大,提供高增益和高效率。

 2. 无线通信设备
   - 应用于蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙等无线通信系统中的信号放大和处理。
   - 适用于基站、移动终端、路由器等设备中的射频模块。

 3. 射频混频器与振荡器
   - 作为混频器的核心元件,用于频率转换。
   - 在射频振荡器中,提供稳定的高频信号输出。

 4. 测试与测量设备
   - 在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中,用于信号放大和处理。
   - 提供高精度和高稳定性的射频性能。

 5. 卫星通信与雷达系统
   - 用于卫星通信系统的射频前端模块,提高信号传输质量。
   - 在雷达系统中,作为发射机或接收机的一部分,实现信号放大和处理。

 6. 工业与医疗设备
   - 在工业无线控制设备中,用于信号传输和处理。
   - 在医疗成像设备(如超声波设备)中,用于高频信号的放大和滤波。

 性能特点
- 低噪声系数:适合对噪声敏感的应用场景。
- 高增益:能够在高频条件下提供足够的信号放大能力。
- 高线性度:减少信号失真,确保高质量的射频传输。
- 宽频率范围:支持从几十 MHz 到 GHz 的高频应用。

总之,2N5951_D27Z 是一款高性能的射频 MOSFET,广泛应用于需要高频信号处理的各种领域。选择该器件时,需根据具体电路设计要求,结合其电气参数进行合理选型和应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

AMP RF N-CHAN 30V TO-92

产品分类

RF FET

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

2N5951_D27Z

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-92-3

功率-输出

-

包装

带卷 (TR)

噪声系数

2dB

增益

-

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

晶体管类型

N 通道 JFET

标准包装

2,000

电压-测试

15V

电压-额定

30V

电流-测试

-

频率

1kHz

额定电流

13mA

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