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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 射频双极晶体管 RF Transistor |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. 2N5643 |
产品型号 | 2N5643 |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
功率耗散 | 60 W |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | Advanced Semiconductor, Inc. |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tray |
封装/箱体 | MT72 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar Power |
最大工作温度 | + 200 C |
最大工作频率 | 175 MHz |
最小工作温度 | - 65 C |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 5 |
类型 | RF Bipolar Power |
集电极—发射极最大电压VCEO | 35 V |
集电极连续电流 | 5 A |
频率 | 175 MHz |