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  • 型号: 2N5629
  • 制造商: Central Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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2N5629产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT NPN High Pwr

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

过渡期间

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N5629

产品型号

2N5629

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

Central Semiconductor

增益带宽产品fT

1 MHz

安装风格

Through Hole

封装/箱体

TO-3

工厂包装数量

20

晶体管极性

NPN

最大功率耗散

200 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

16 A

最小工作温度

- 60 C

直流集电极/BaseGainhfeMin

25

系列

2N5629

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极—射极饱和电压

2 V

集电极连续电流

0.45 A

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