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2N5551TF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551TF价格参考。Fairchild Semiconductor2N5551TF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载2N5551TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5551TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 160V 0.6A TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5551TF- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N5551TF |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 2N5551TFDKR |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 250 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | 2N5551 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 100MHz |