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Datasheet下载- 型号： 2N5551RLRPG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551RLRPG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551RLRPG价格参考￥0.24-￥0.68。ON Semiconductor2N5551RLRPG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 300MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5551RLRPG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5551RLRPG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5551RLRPG是由ON Semiconductor生产的单个双极结型晶体管（BJT）。该型号的晶体管广泛应用于各种电子设备和电路中，具有较高的可靠性和性能。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 2N5551RLRPG常用于低功率音频放大器电路中，作为前置放大级或驱动级。它能够提供足够的增益和线性度，确保音频信号在传输过程中不失真。由于其良好的频率响应特性，适用于从低频到高频的音频放大应用。 2. 开关电路 在数字电路中，2N5551RLRPG可以用作开关元件。它的快速开关特性和较低的饱和电压使其适合用于逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动等场景。特别是在需要高效能和低功耗的应用中，2N5551RLRPG表现出色。 3. 电源管理 该晶体管也常用于电源管理电路中，如稳压器、DC-DC转换器等。它可以作为电流调节器或电压调节器中的关键元件，帮助维持输出电压的稳定。此外，2N5551RLRPG还可以用于过流保护电路，防止电路因电流过大而损坏。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中，2N5551RLRPG可以用来放大传感器输出的微弱信号。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，该晶体管能够将传感器的输出信号放大到合适的水平，以便后续处理。 5. 无线通信 2N5551RLRPG还适用于一些低频无线通信电路，如射频（RF）前端的放大器。它能够在较低的频率范围内提供稳定的增益，确保信号的清晰传输。 6. 教育和实验 由于2N5551RLRPG是一款经典的通用BJT，因此在教育领域和实验室环境中也被广泛应用。学生可以通过使用该晶体管进行各种基础电路实验，学习晶体管的工作原理和应用技巧。 总之，2N5551RLRPG凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为许多电子设计工程师的首选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5551RLRPG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5551RLRPG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | 2N5551 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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