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  • 型号: 2N5551RL1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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2N5551RL1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551RL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551RL1G价格参考。ON Semiconductor2N5551RL1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 300MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5551RL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5551RL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5551RL1G-

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产品型号

2N5551RL1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

2N5551RL1GOSCT

功率-最大值

625mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 (TO-226)

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

2N5551

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

0.6 A

频率-跃迁

300MHz

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