【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_2N5550TAR】封装/厂家_2N5550TAR中文资料_价格

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型号： 2N5550TAR
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5550TAR由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5550TAR价格参考。Fairchild Semiconductor2N5550TAR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 140V 600mA 300MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5550TAR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5550TAR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5550TAR是由ON Semiconductor生产的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种NPN型的通用放大和开关晶体管，广泛应用于各种电子电路中。

 应用场景

1. 音频放大器：
   2N5550TAR常用于音频放大器中的前置放大级或功率输出级。其低噪声特性和良好的线性度使其适合处理音频信号，确保音质清晰、失真小。

2. 电源管理：
   在电源管理电路中，2N5550TAR可以作为开关元件使用。例如，在线性稳压器或开关电源中，它可以控制电流的通断，实现电压调节和负载保护功能。

3. 电机驱动：
   对于小型直流电机或步进电机的驱动，2N5550TAR可以用作驱动晶体管。通过控制基极电流，它可以有效地驱动电机的运行，适用于玩具、小型机器人等设备。

4. 信号放大与缓冲：
   在信号处理电路中，2N5550TAR可以用于信号放大和缓冲。它能够将微弱的输入信号放大到足够的电平，以驱动后续电路或负载。

5. 脉宽调制（PWM）控制：
   在PWM控制电路中，2N5550TAR可以作为开关器件，根据PWM信号的占空比来调节输出电压或电流，常用于LED调光、风扇速度控制等应用。

6. 传感器接口：
   当与传感器配合时，2N5550TAR可以用作信号调理电路的一部分。例如，在温度传感器或光电传感器中，它可以将传感器输出的微弱信号放大并传输给后续处理单元。

7. 继电器驱动：
   2N5550TAR还可以用于驱动继电器线圈。通过控制基极电流，它可以切换继电器的状态，从而实现对大电流或高电压电路的控制。

 总结
2N5550TAR是一款性能可靠、应用广泛的NPN型双极晶体管，适用于多种电子电路中。其典型应用场景包括音频放大、电源管理、电机驱动、信号放大、PWM控制、传感器接口和继电器驱动等。由于其良好的电气特性，这款晶体管在中小功率应用中表现出色，是许多设计工程师的首选元件之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 140V 600MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5550TAR-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N5550TAR
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 10mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	2N5550TARCT
功率-最大值	625mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	240 mg
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	300 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Ammo Pack
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92-3 Kinked Lead
工厂包装数量	2000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.6 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	140V
电流-集电极(Ic)（最大值）	600mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	250
直流集电极/BaseGainhfeMin	60
系列	2N5550
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	140 V
集电极—基极电压VCBO	160 V
集电极—射极饱和电压	0.25 V
集电极连续电流	0.6 A
零件号别名	2N5550TAR_NL
频率-跃迁	300MHz