ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2N5550G
Datasheet下载- 型号： 2N5550G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5550G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5550G价格参考。ON Semiconductor2N5550G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 140V 600mA 300MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5550G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5550G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5550G是由ON Semiconductor生产的单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中。该型号属于NPN型晶体管，具有低噪声、高增益和高速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 音频放大器：2N5550G因其低噪声特性，常用于音频信号的放大电路中。它可以作为前置放大器或驱动级，提升音频信号的质量，确保声音清晰、无失真。其高频响应良好，适合用于高保真音响系统。 2. 开关电路：由于2N5550G具备较快的开关速度和较低的饱和电压，它在数字电路中常用作开关元件。例如，在脉宽调制（PWM）控制电路中，2N5550G可以高效地控制负载的通断，适用于电机驱动、LED调光等应用。 3. 电源管理：在电源管理电路中，2N5550G可用于稳压电路中的误差放大器或反馈回路。它的高增益特性有助于提高电源系统的稳定性和响应速度，确保输出电压的精度。 4. 传感器接口：2N5550G也可用于传感器信号的调理电路中。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，2N5550G可以将微弱的传感器信号进行放大，便于后续处理或显示。 5. 通信设备：在一些通信设备中，2N5550G可用于射频（RF）前端电路中的低噪声放大（LNA）。其低噪声系数和良好的线性度使其能够在不引入过多噪声的情况下放大弱信号，适用于无线通信、收音机等设备。 总之，2N5550G凭借其优异的性能，适用于多种需要低噪声、高增益和快速开关的应用场景，涵盖了从音频放大到电源管理等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP SS 0.6A 140V TO92两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5550G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5550G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N5550GOS |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 140V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | 2N5550 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 140 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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