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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5461_D26Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5461_D26Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N5461_D26Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5461_D26Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5461_D26Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET P-CH 40V 350MW TO92JFET P-Channel Transistor General Purpose |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor 2N5461_D26Z- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N5461_D26Z |
Pd-PowerDissipation | 350 mW |
Pd-功率耗散 | 350 mW |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | - 2 mA to - 9 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1V @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 350mW |
功率耗散 | 350 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 2,000 |
正向跨导-最小值 | 0.0015 S to 0.005 S |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | 2N5461 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 40 V |