【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_2N5401TF】封装/厂家_2N5401TF中文资料_价格

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型号： 2N5401TF
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5401TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5401TF价格参考。Fairchild Semiconductor2N5401TF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 150V 600mA 400MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5401TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5401TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5401TF是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种常见的NPN型小信号晶体管，广泛应用于各种低功率、中频和高频电路设计中。

 应用场景

1. 音频放大器：
   2N5401TF常用于音频放大器中的前置放大级或驱动级。由于其低噪声特性和良好的增益特性，适合用于处理微弱的音频信号，确保信号不失真地放大。

2. 开关电路：
   在数字电路中，2N5401TF可以用作开关元件。它能够快速响应输入信号的变化，在导通和截止状态之间切换，适用于逻辑门电路、脉冲发生器等应用。

3. 传感器接口：
   该晶体管可以用于将传感器输出的微弱信号进行放大和调理，以便后续处理。例如，在温度传感器、光敏电阻等设备中，2N5401TF可以作为信号放大部分，提高传感器的灵敏度和响应速度。

4. 电源管理：
   在一些简单的电源管理电路中，如线性稳压器或电流源，2N5401TF可以用来调节电流或电压。它能够在较低的工作电流下保持稳定的性能，适用于便携式设备或其他对功耗要求较高的场合。

5. 无线通信：
   2N5401TF还可以应用于低功率射频（RF）电路中，如振荡器、混频器和调制解调器。它的高频特性使其能够在较宽的频率范围内工作，适用于短距离无线通信模块的设计。

6. 教育和实验平台：
   由于其简单易用且价格低廉，2N5401TF在电子教学和实验平台上也非常受欢迎。学生可以通过搭建基础电路来学习晶体管的工作原理，掌握放大、开关等基本功能。

总之，2N5401TF作为一种通用的小信号晶体管，凭借其稳定可靠的特点，在多个领域都有广泛应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR PNP 160V 600MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5401TF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N5401TF
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 10mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
功率-最大值	625mW
包装	带卷（TR）
单位重量	178.200 mg
发射极-基极电压VEBO	- 5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	300 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Reel
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92-3 Kinked Lead
工厂包装数量	2000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.6 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,000
电压-集射极击穿（最大值）	150V
电流-集电极(Ic)（最大值）	600mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	240
直流集电极/BaseGainhfeMin	60
系列	2N5401
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 150 V
集电极—基极电压VCBO	- 160 V
集电极连续电流	- 600 mA
频率-跃迁	400MHz