ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2N5401TF
Datasheet下载- 型号： 2N5401TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5401TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5401TF价格参考。Fairchild Semiconductor2N5401TF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 150V 600mA 400MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5401TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5401TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5401TF是一种常见的NPN型小信号晶体管，广泛应用于各种电子电路中。它的主要特点是低噪声、高增益和宽频率响应，适用于音频放大、射频（RF）放大、开关控制等场景。 1. 音频放大电路 2N5401TF常用于低噪声的音频前置放大器中。由于其低噪声特性，能够有效地放大微弱的音频信号，同时保持较高的信噪比。它可以在麦克风前置放大器、耳机放大器等设备中发挥重要作用，确保声音清晰、失真小。 2. 射频（RF）应用 在射频电路中，2N5401TF可以用于高频信号的放大和调制。它的工作频率范围较广，适合用于无线电接收机、发射机中的中频（IF）放大器或低噪声放大器（LNA）。此外，它还可以用于无线通信模块中的信号调理电路，帮助提高信号的质量和稳定性。 3. 开关控制 2N5401TF也可以作为开关元件使用。通过控制基极电流，可以使晶体管导通或截止，从而实现对负载的开关控制。这种应用场景常见于数字电路中，例如继电器驱动、LED驱动等。由于其快速的开关速度和较低的饱和电压，能够在高效能的应用中表现出色。 4. 脉冲调制与整形 在脉冲调制电路中，2N5401TF可以用于脉冲信号的整形和放大。它可以将微弱的脉冲信号放大到足够的幅度，以便后续电路处理。此外，它还可以用于脉宽调制（PWM）电路中，帮助调节输出功率或电压。 5. 传感器信号放大 2N5401TF还适用于传感器信号的放大。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，传感器输出的信号通常非常微弱，2N5401TF可以将这些信号放大到适合后续处理的水平，确保测量结果的准确性。 总之，2N5401TF凭借其低噪声、高增益和宽频带的特点，成为许多低功耗、高性能电子电路中的理想选择。无论是音频、射频还是开关控制，它都能提供稳定可靠的表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 160V 600MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5401TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5401TF |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 178.200 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | 2N5401 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极连续电流 | - 600 mA |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
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