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Datasheet下载- 型号： 2N5401TA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5401TA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5401TA价格参考。Fairchild Semiconductor2N5401TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 150V 600mA 400MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5401TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5401TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5401TA 是一种常见的 NPN 型硅晶体三极管，广泛应用于各种电子电路中。它的主要特点是低噪声、高增益和较快的开关速度，适用于小信号放大和开关应用。以下是 2N5401TA 的一些典型应用场景： 1. 音频放大器 2N5401TA 经常用于音频放大器的前置放大级或中间级，尤其是在低噪声要求较高的场合。它能够有效地放大微弱的音频信号，提供足够的增益以驱动后续的功率放大级。由于其低噪声特性，2N5401TA 在音频设备中的应用可以确保输出信号的纯净度，减少背景噪音。 2. 开关电路 在数字电路中，2N5401TA 可以用作开关元件。它可以在导通和截止状态之间快速切换，适用于脉宽调制（PWM）控制、逻辑电平转换等场景。例如，在电机控制电路中，2N5401TA 可以作为驱动级，接收来自微控制器的控制信号，进而控制大电流负载的通断。 3. 传感器信号调理 2N5401TA 可用于传感器信号的放大和调理。许多传感器（如温度传感器、压力传感器等）输出的信号非常微弱，需要经过放大才能被后续电路处理。2N5401TA 的高增益特性使其成为理想的信号放大元件，能够将传感器输出的毫伏级信号放大到适合进一步处理的电压水平。 4. 射频（RF）电路 尽管 2N5401TA 不是专门设计用于高频应用的器件，但在某些低频射频电路中，它仍然可以发挥作用。例如，在低频振荡器、混频器或调制解调器中，2N5401TA 可以用于信号的放大和整形，确保信号的质量和稳定性。 5. 电源管理电路 在一些简单的电源管理电路中，2N5401TA 可以用于电流检测、过流保护等功能。通过监测负载电流的变化，2N5401TA 可以触发保护机制，防止电路因过载而损坏。 总的来说，2N5401TA 凭借其低噪声、高增益和快速开关特性，成为了众多模拟和数字电路中的重要元件，尤其适用于需要高精度和可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 160V 600MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5401TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5401TA |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 单位重量 | 178.200 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | 2N5401 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极连续电流 | - 600 mA |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
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