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Datasheet下载- 型号： 2N5322
- 制造商： Central Semiconductor
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2N5322产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5322由Central Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5322价格参考￥6.27-￥12.39。Central Semiconductor2N5322封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 75V 2A 10W 通孔 TO-39。您可以下载2N5322参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5322 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5322是由ON Semiconductor生产的单晶体管 - 双极 (BJT) 型号，广泛应用于多种电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 音频放大器：2N5322常用于低功率音频放大器电路中，作为前置放大级或驱动级。其高增益特性使得它在音频信号放大的应用中表现出色，能够提供清晰且不失真的音频输出。 2. 开关电路：由于其快速的开关速度和较低的饱和电压，2N5322非常适合用于开关电路。例如，在继电器控制、LED驱动等应用中，它可以高效地实现开关功能，确保电路的稳定性和可靠性。 3. 传感器信号调理：在一些传感器应用中，2N5322可以用作信号调理元件。通过适当的偏置设置，它可以放大微弱的传感器信号，从而提高后续处理电路的灵敏度和准确性。 4. 电源管理：2N5322还可以用于简单的电源管理电路中，如稳压器或电流源。它的线性特性使其能够在这些电路中提供稳定的电压或电流输出，确保系统的正常运行。 5. 脉宽调制（PWM）控制：在PWM控制电路中，2N5322可以作为功率放大级，用于驱动电机或其他负载。通过调节输入信号的占空比，它可以精确控制输出功率，适用于各种调速和调光应用。 6. 射频（RF）电路：虽然2N5322主要用于低频应用，但在某些情况下，它也可以用于低功率射频电路中，如振荡器或混频器。其良好的频率响应和稳定性使其在这些应用中具有一定的适用性。 总之，2N5322是一款性能可靠的双极型晶体管，适用于多种低功率、低频的电子电路中。其高增益、快速开关速度和稳定的工作特性，使其成为许多设计工程师的首选元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT PNP 75V 2A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N5322 |
| 产品型号 | 2N5322 |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 5 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | TO-39 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 最大功率耗散 | 10000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | 2N5322 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 75 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
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2N5320 2N5321 NPN 2N5322 2N5323 PNP www.centralsemi.com COMPLEMENTARY SILICON DESCRIPTION: SWITCHING TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5320, 2N5322 series types are complementary silicon power transistors manufactured by the epitaxial planar process, designed for amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-39 CASE 2N5320 2N5321 MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C) SYMBOL 2N5322 2N5323 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 100 75 V Collector-Emitter Voltage VCEV 100 75 V Collector-Emitter Voltage VCEO 75 50 V Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 5.0 V Continuous Collector Current IC 2.0 A Continuous Base Current IB 1.0 A Power Dissipation PD 10 W Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +200 °C Thermal Resistance ΘJA 175 °C/W Thermal Resistance ΘJC 17.5 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) 2N5320 2N5321 2N5322 2N5323 SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX UNITS ICBO VCB=80V - 0.5 - - μA ICBO VCB=60V - - - 5.0 μA IEBO VEB=5.0V - 0.1 - - μA IEBO VEB=4.0V - - - 0.5 μA BVCEV IC=100μA, VBE=1.5V 100 - 75 - V BVCEO IC=10mA 75 - 50 - V BVEBO IE=100μA 6.0 - 5.0 - V VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA (2N5320) - 0.5 - - V VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA (2N5321) - - - 0.8 V VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA (2N5322) - 0.7 - - V VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA (2N5323) - - - 1.2 V VBE(ON) VCE=4.0V, IC=500mA - 1.1 - 1.4 V hFE VCE=4.0V, IC=500mA 30 175 40 250 hFE VCE=2.0V, IC=1.0A 10 - - - fT VCE=4.0V, IC=50mA, f=10MHz 50 - 50 - MHz R5 (11-May 2017)
2N5320 2N5321 NPN 2N5322 2N5323 PNP COMPLEMENTARY SILICON SWITCHING TRANSISTORS ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MAX UNITS ton VCC=30V, IC=500mA, IB1=50mA (2N5320, 2N5321) 80 ns ton VCC=30V, IC=500mA, IB1=50mA (2N5322, 2N5323) 100 ns toff VCC=30V, IC=500mA, IB1=IB2=50mA (2N5320, 2N5321) 800 ns toff VCC=30V, IC=500mA, IB1=IB2=50mA (2N5322, 2N5323) 1.0 μs TO-39 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Base 3) Collector MARKING: FULL PART NUMBER R5 (11-May 2017) www.centralsemi.com
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