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  • 型号: 2N5302G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5302G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5302G价格参考。ON Semiconductor2N5302G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5302G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5302G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN PWR GP 30A 60V TO3两极晶体管 - BJT 30A 60V 200W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5302G-

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产品型号

2N5302G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 6A,30A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 15A,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-3

其它名称

2N5302GOS

功率-最大值

200W

包装

托盘

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

2 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tray

封装/外壳

TO-204AA,TO-3

封装/箱体

TO-204-2 (TO-3)

工厂包装数量

100

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

30 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

100

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30A

电流-集电极截止(最大值)

5mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

15

系列

2N5302

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.75 V

集电极连续电流

30 A

频率-跃迁

2MHz

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