【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_2N5210TA】封装/厂家_2N5210TA中文资料_价格

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型号： 2N5210TA
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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2N5210TA产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5210TA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5210TA价格参考￥0.15-￥0.16。Fairchild Semiconductor2N5210TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 30MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5210TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5210TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5210TA-
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产品型号	2N5210TA
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	700mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 100µA， 5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	2N5210TAFSCT
功率-最大值	625mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	240 mg
发射极-基极电压VEBO	4.5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	30 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Ammo Pack
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92-3 Kinked Lead
工厂包装数量	2000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	600
直流集电极/BaseGainhfeMin	200
系列	2N5210
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
集电极—基极电压VCBO	50 V
集电极—射极饱和电压	0.7 V
集电极连续电流	0.1 A
零件号别名	2N5210TA_NL
频率-跃迁	30MHz

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