图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: 2N5089
  • 制造商: Central Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

2N5089产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5089由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5089价格参考¥0.78-¥1.14。Central Semiconductor2N5089封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 25V 50mA 50MHz 625mW 通孔 TO-92。您可以下载2N5089参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5089 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N5089

产品型号

2N5089

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

4.5 V

商标

Central Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

直流电流增益hFE最大值

400

系列

2N5089

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

0.05 A

推荐商品

型号:SMMBT3906WT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:JAN2N3700

品牌:Microsemi Corporation

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:ZTX949STZ

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BC307BZL1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:MJB45H11

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:2SB1690KT146

品牌:Rohm Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:JANS2N2222A

品牌:Microsemi Corporation

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:MJE15032

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
2N5089 相关产品

ZTX1051ASTOB

品牌:Diodes Incorporated

价格:

BC327-40ZL1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC859BLT1

品牌:ON Semiconductor

价格:

JANTX2N3055

品牌:None

价格:

2N5416

品牌:STMicroelectronics

价格:¥5.29-¥8.85

PBHV8115Z,115

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:¥2.17-¥5.11

MJH11019

品牌:ON Semiconductor

价格:¥询价-¥询价

BF820,235

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

2N5088 2N5089 www.centralsemi.com SILICON DESCRIPTION: NPN TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5088 and 2N5089 are silicon NPN transistors designed for low level, low noise amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-92 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL 2N5088 2N5089 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 35 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V Continuous Collector Current IC 50 mA Power Dissipation PD 625 mW Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C Thermal Resistance JA 200 °C/W Thermal Resistance JC 83.3 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) 2N5088 2N5089 SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX UNITS ICBO VCB=20V - 50 - - nA ICBO VCB=15V - - - 50 nA IEBO VEB=3.0V - 50 - 50 nA IEBO VEB=4.5V - 100 - 100 nA BVCBO IC=100μA 35 - 30 - V BVCEO IC=1.0mA 30 - 25 - V VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA - 0.5 - 0.5 V VBE(ON) VCE=5.0V, IC=10mA - 0.8 - 0.8 V hFE VCE=5.0V, IC=0.1mA 300 900 400 1.2K hFE VCE=5.0V, IC=1.0mA 350 - 450 - hFE VCE=5.0V, IC=10mA 300 - 400 - hfe VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 350 1.4K 450 1.8K fT VCE=5.0V, IC=0.5mA, f=20MHz 50 - 50 - MHz Cob VCB=5.0V, IE=0, f=100kHz - 4.0 - 4.0 pF Cib VEB=0.5V, IC=0, f=100kHz - 15 - 15 pF NF VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ, f=10Hz to 15.7kHz - 3.0 - 2.0 dB R1 (20-June 2016)

2N5088 2N5089 SILICON NPN TRANSISTORS TO-92 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Base 3) Collector MARKING: FULL PART NUMBER R1 (20-June 2016) www.centralsemi.com

2N5088 2N5089 SILICON NPN TRANSISTORS TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS R1 (20-June 2016) www.centralsemi.com

2N5088 2N5089 SILICON NPN TRANSISTORS TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS R1 (20-June 2016) www.centralsemi.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: C entral Semiconductor: 2N5088 2N5089