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2N5088产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5088由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5088价格参考¥1.12-¥2.98。Central Semiconductor2N5088封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 50mA 50MHz 625mW 通孔 TO-92。您可以下载2N5088参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5088 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Central Semiconductor Corp生产的2N5088是一款双极型晶体管(BJT),具体为NPN型单晶体管。该型号的晶体管广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要低噪声和高增益特性的场景下。 应用场景 1. 音频放大器: 2N5088常用于低噪声音频前置放大器中,因其具有较高的电流增益(hFE)和较低的噪声系数,适合处理微弱的音频信号。它能够有效地放大来自麦克风或其他低电平信号源的信号,同时保持较低的失真度。 2. 传感器信号调理: 在传感器应用中,2N5088可以用于信号调理电路,将传感器输出的微弱信号进行放大。例如,温度传感器、压力传感器等输出的信号通常非常微弱,2N5088可以作为一级放大器来增强这些信号,以便后续处理或传输。 3. 射频(RF)电路: 尽管2N5088不是专门设计用于高频应用的晶体管,但在某些低频到中频的射频电路中,它可以用于信号放大或混频。其低噪声特性使其在一些对噪声敏感的射频前端电路中有一定的应用价值。 4. 开关电路: 2N5088也可以用于简单的开关电路中,尤其是在需要精确控制小电流负载的情况下。由于其较小的饱和电压和较快的开关速度,它可以在数字电路中作为驱动元件,控制LED、继电器等设备。 5. 电源管理: 在一些小型电源管理系统中,2N5088可以用作电流检测或过流保护元件。通过监测流经晶体管的电流,可以实现对电源输出的保护,防止过载或短路损坏其他电路元件。 6. 教育和实验: 2N5088还常用于教学和实验环境中,帮助学生理解双极型晶体管的工作原理。它的典型参数易于理解和测量,因此非常适合用于基础电子课程中的实验项目。 总之,2N5088凭借其低噪声、高增益和相对简单的使用方式,在多种应用场景中都有广泛的应用,特别是在需要精确信号放大的场合。
参数 | 数值 |
品牌 | Central Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N5088 |
产品型号 | 2N5088 |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | 4.5 V |
商标 | Central Semiconductor |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
最小工作温度 | - 65 C |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
系列 | 2N5088 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 35 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
2N5088 2N5089 www.centralsemi.com SILICON DESCRIPTION: NPN TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5088 and 2N5089 are silicon NPN transistors designed for low level, low noise amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-92 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL 2N5088 2N5089 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 35 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V Continuous Collector Current IC 50 mA Power Dissipation PD 625 mW Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C Thermal Resistance JA 200 °C/W Thermal Resistance JC 83.3 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) 2N5088 2N5089 SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX UNITS ICBO VCB=20V - 50 - - nA ICBO VCB=15V - - - 50 nA IEBO VEB=3.0V - 50 - 50 nA IEBO VEB=4.5V - 100 - 100 nA BVCBO IC=100μA 35 - 30 - V BVCEO IC=1.0mA 30 - 25 - V VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA - 0.5 - 0.5 V VBE(ON) VCE=5.0V, IC=10mA - 0.8 - 0.8 V hFE VCE=5.0V, IC=0.1mA 300 900 400 1.2K hFE VCE=5.0V, IC=1.0mA 350 - 450 - hFE VCE=5.0V, IC=10mA 300 - 400 - hfe VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 350 1.4K 450 1.8K fT VCE=5.0V, IC=0.5mA, f=20MHz 50 - 50 - MHz Cob VCB=5.0V, IE=0, f=100kHz - 4.0 - 4.0 pF Cib VEB=0.5V, IC=0, f=100kHz - 15 - 15 pF NF VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ, f=10Hz to 15.7kHz - 3.0 - 2.0 dB R1 (20-June 2016)
2N5088 2N5089 SILICON NPN TRANSISTORS TO-92 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Base 3) Collector MARKING: FULL PART NUMBER R1 (20-June 2016) www.centralsemi.com
2N5088 2N5089 SILICON NPN TRANSISTORS TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS R1 (20-June 2016) www.centralsemi.com
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