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  • 型号: 2N5061
  • 制造商: Central Semiconductor
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2N5061产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5061由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5061价格参考。Central Semiconductor2N5061封装/规格:晶闸管 - SCR, SCR 60V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92。您可以下载2N5061参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5061 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5061 是由 Central Semiconductor Corp 生产的一款晶闸管(SCR,Silicon Controlled Rectifier)。它是一种常用的电力电子器件,广泛应用于各种需要控制和调节电流的电路中。以下是2N5061的主要应用场景:

 1. 电源控制
   2N5061 可用于调光器、调速器等设备中,通过控制触发角来调节输出电压或电流。例如,在家庭照明系统中,它可以用来实现灯光亮度的调节;在电机控制系统中,可以用于调整电机转速。

 2. 过流保护
   2N5061 可以作为过流保护元件,当电路中的电流超过设定值时,SCR会导通并触发保护机制,切断电路以防止损坏其他元件。这种应用常见于家用电器和工业设备中。

 3. 开关电源
   在开关电源中,2N5061 可以用于功率因数校正(PFC)电路或逆变器中,帮助提高电源效率,减少能量损耗。它还可以用于直流-交流转换电路,实现稳定的电源输出。

 4. 固态继电器
   2N5061 可以用作固态继电器的核心元件,替代传统的机械继电器。由于其无触点设计,具有更高的可靠性和更长的寿命,适用于频繁开关的应用场景,如自动化控制系统、家电设备等。

 5. 电加热控制
   在电加热设备中,2N5061 可用于控制加热元件的功率。通过调节触发脉冲的宽度或频率,可以精确控制加热温度,确保设备的安全和高效运行。

 6. 电机启动与保护
   在一些电机启动电路中,2N5061 可以用于软启动,逐步增加电机的启动电流,避免瞬间大电流对电网的冲击。此外,它还可以用于电机的过载保护,防止电机因过热或过流而损坏。

 7. 信号放大与处理
   虽然SCR主要用于大功率应用,但在某些情况下,2N5061 也可以用于低频信号的放大和处理,尤其是在需要高增益和低噪声的应用中。

总之,2N5061 晶闸管因其可靠的性能和广泛的适用性,在电力电子领域有着重要的地位,特别适合需要精确电流控制和保护的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
GateTriggerCurrent-Igt

0.35 mA

GateTriggerVoltage-Vgt

1.2 V

品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

SCR 0.8A 60V

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体闸流管,SCR,Central Semiconductor 2N5061

产品型号

2N5061

不重复通态电流

10 A

产品种类

SCR

保持电流Ih最大值

10 mA

关闭状态漏泄电流(在VDRMIDRM下)

0.01 mA

商标

Central Semiconductor

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

2500

最大栅极峰值反向电压

5 V

栅极触发电压-Vgt

1.2 V

栅极触发电流-Igt

0.35 mA

正向电压下降

1.7 V

系列

2N5061

额定重复关闭状态电压VDRM

60 V

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2N5060 THRU 2N5064 www.centralsemi.com SILICON CONTROLLED RECTIFIERS The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5060 series 0.8 AMP, 30 THRU 200 VOLT devices are epoxy molded SCRs designed for control systems and sensing circuit applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-92 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL 2N5060 2N5061 2N5062 2N5063 2N5064 UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 30 60 100 150 200 V RMS On-State Current (Note 1; TC=80°C) IT(RMS) 0.8 A Average On-State Current (Note 1; TC=67°C) IT(AV) 0.51 A Average On-State Current (Note 1; TC=102°C) IT(AV) 0.255 A Peak One Cycle Surge Current (60Hz) ITSM 10 A I2t Value for Fusing (t=8.3ms) I2t 0.4 A2s Peak Forward Gate Power (tp<1.0μs) PGM 0.1 W Average Forward Gate Power (t=8.3ms) PG(AV) 0.01 W Peak Forward Gate Current (tp<1.0μs) IGM 1.0 A Peak Reverse Gate Voltage (tp<1.0μs) VRGM 5.0 V Operating Junction Temperature TJ -40 to +125 °C Storage Temperature Tstg -40 to +150 °C Thermal Resistance (Note 2) ΘJC 75 °C/W Thermal Resistance ΘJA 200 °C/W Notes: 1) 180° Conduction Angles 2) Measured with the “flat side down” on a heatsink and held in position by a metal clamp over the curved surface. ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS IDRM, IRRM VD=Rated VDRM, RGK=1.0kΩ 10 μA IDRM, IRRM VD=Rated VDRM, RGK=1.0kΩ, TC=110°C 50 μA IGT VD=7.0V, RL=100Ω 200 μA IGT VD=7.0V, RL=100Ω, TC=-40°C 350 μA IH Initiating Current, IT=20mA, RGK=1.0kΩ 5.0 mA IH Initiating Current, IT=20mA, RGK=1.0kΩ, TC=-40°C 10 mA VGT VD=7.0V, RL=100Ω 0.8 V VGT VD=7.0V, RL=100Ω, TC=-40°C 1.2 V VGD VD=Rated VDRM, RL=100Ω, TC=110°C 0.1 V VTM ITM=1.2A, TA=25°C 1.7 V dv/dt VD=Rated VDRM, RGK=1.0kΩ 30 V/μs R5 (7-May 2015)

2N5060 THRU 2N5064 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 0.8 AMP, 30 THRU 200 VOLT ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (TC=25°C unless otherwise noted) 2N5062 2N5060 2N5063 2N5061 2N5064 SYMBOL TEST CONDITIONS TYP TYP UNITS td VD=Rated VDRM, IGT=1.0mA, 3.0 3.0 μs tr Forward Current=1.0A, di/dt=6.0A/μs 0.2 0.2 μs Forward Current=1.0A, tp=50μs, tq 0.1% Duty Cycle, di/dt=6.0A/μs, 10 30 μs dv/dt=20V/μs, IGT=1.0mA TO-92 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Cathode 2) Gate 3) Anode MARKING: FULL PART NUMBER R5 (7-May 2015) www.centralsemi.com

OUTSTANDING SUPPORT AND SUPERIOR SERVICES PRODUCT SUPPORT Central’s operations team provides the highest level of support to insure product is delivered on-time. • Supply management (Customer portals) • Custom bar coding for shipments • Inventory bonding • Custom product packing • Consolidated shipping options DESIGNER SUPPORT/SERVICES Central’s applications engineering team is ready to discuss your design challenges. Just ask. • Free quick ship samples (2nd day air) • Special wafer diffusions • Online technical data and parametric search • PbSn plating options • SPICE models • Package details • Custom electrical curves • Application notes • Environmental regulation compliance • Application and design sample kits • Customer specific screening • Custom product and package development • Up-screening capabilities REQUESTING PRODUCT PLATING 1. If requesting Tin/Lead plated devices, add the suffix “ TIN/LEAD” to the part number when ordering (example: 2N2222A TIN/LEAD). 2. If requesting Lead (Pb) Free plated devices, add the suffix “ PBFREE” to the part number when ordering (example: 2N2222A PBFREE). CONTACT US Corporate Headquarters & Customer Support Team Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Worldwide Field Representatives: Hauppauge, NY 11788 USA www.centralsemi.com/wwreps Main Tel: (631) 435-1110 Main Fax: (631) 435-1824 Worldwide Distributors: Support Team Fax: (631) 435-3388 www.centralsemi.com/wwdistributors www.centralsemi.com For the latest version of Central Semiconductor’s LIMITATIONS AND DAMAGES DISCLAIMER, which is part of Central’s Standard Terms and Conditions of sale, visit: www.centralsemi.com/terms www.centralsemi.com (001)

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