ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > 2N4416A-E3
Datasheet下载- 型号： 2N4416A-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4416A-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4416A-E3价格参考。Vishay2N4416A-E3封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 35V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)。您可以下载2N4416A-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N4416A-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AFJFET 35V 5mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N4416A-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N4416A-E32N4416A-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 10 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 2.5V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 15V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-206AF （TO-72） |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-206AF |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 30 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 200 |
| 正向跨导-最小值 | 4.5 mS |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | 10 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 35 V |
| 闸/源截止电压 | - 3 V |
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