【晶体管 - JFET_2N4416-E3】封装/厂家_2N4416-E3中文资料_价格

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型号： 2N4416-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N4416-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4416-E3价格参考。Vishay2N4416-E3封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)。您可以下载2N4416-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N4416-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的2N4416-E3是一款JFET（结型场效应晶体管），广泛应用于需要低噪声、高输入阻抗和线性度的电路中。其主要应用场景包括：

1. 音频放大器：由于2N4416-E3具有高输入阻抗和低噪声特性，它非常适合用于音频前置放大器和其他对信号保真度要求较高的音频设备。例如，它可以用于麦克风前置放大器，确保微弱的音频信号在传输过程中不会受到过多的干扰或失真。

2. 模拟开关和多路复用器：2N4416-E3可以作为模拟开关使用，尤其适用于需要快速切换不同信号源的应用。它的低导通电阻和快速响应时间使其在多路复用器设计中表现出色，能够有效地选择和传输不同的模拟信号。

3. 传感器接口电路：在传感器应用中，2N4416-E3可以作为信号调理元件，用于放大和处理来自传感器的微弱信号。其高输入阻抗特性可以防止对传感器输出产生负载效应，从而确保信号的准确性和稳定性。

4. RF（射频）电路：2N4416-E3的高频性能使其适合用于射频前端电路中的低噪声放大器（LNA）。它可以在不引入过多噪声的情况下放大微弱的射频信号，这对于无线通信系统、雷达和其他高频应用至关重要。

5. 可变增益放大器：通过调整栅极电压，2N4416-E3可以实现可变增益功能。这种特性使得它在自动增益控制（AGC）电路中非常有用，能够根据输入信号的强度动态调整放大倍数，以保持输出信号的稳定。

6. 电源管理：在一些低功耗应用中，2N4416-E3可以用作电流限制或电压调节元件。它可以通过调节栅极电压来控制漏极电流，从而实现精确的电源管理。

总之，2N4416-E3凭借其优异的电气特性，在各种模拟和射频电路中发挥着重要作用，尤其是在需要高精度、低噪声和高输入阻抗的应用场景中表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AFJFET 30V 5mA
产品分类	JFET（结点场效应分离式半导体
FET类型	N 沟道
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
产品手册
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N4416-E3-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N4416-E32N4416-E3
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	- 30 V
不同Id时的电压-截止（VGS关）	3V @ 1nA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	5mA @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4pF @ 15V
产品种类	JFET
供应商器件封装	TO-206AF （TO-72）
功率-最大值	300mW
包装	散装
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	SMD/SMT
封装	Bulk
封装/外壳	TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装/箱体	TO-206AF
晶体管极性	N-Channel
标准包装	200
漏极电流(Id)-最大值	-
漏源极电压(Vdss)	-
电压-击穿(V(BR)GSS)	30V
电阻-RDS（开）	-
配置	Single
闸/源击穿电压	- 30 V