ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2N3906TAR
Datasheet下载- 型号： 2N3906TAR
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N3906TAR由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3906TAR价格参考。Fairchild Semiconductor2N3906TAR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 200mA 250MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N3906TAR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N3906TAR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N3906TAR 是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于单个PNP型晶体管。这种晶体管广泛应用于各种低功率模拟和数字电路中，适用于多种应用场景。 1. 开关应用 2N3906TAR 常用于开关电路中，特别是在需要PNP型晶体管的地方。它可以在导通和截止状态之间快速切换，适用于电源管理、负载控制等场景。例如，在继电器驱动电路中，2N3906TAR 可以作为开关元件，控制继电器线圈的电流流动，从而实现对大功率设备的控制。 2. 信号放大 该晶体管也可以用作小信号放大器，适用于音频信号放大、传感器信号调理等场景。由于其较低的噪声特性和稳定的增益特性，2N3906TAR 在一些低频、低噪声要求的放大电路中有较好的表现。它可以用于前置放大器或缓冲器，帮助提高信号的质量和强度。 3. 电源管理 在电源管理系统中，2N3906TAR 可以用于电压调节器电路中的反馈回路或保护电路。例如，在线性稳压器中，2N3906TAR 可以与运算放大器配合使用，形成一个负反馈回路，确保输出电压的稳定。此外，它还可以用于过流保护电路中，防止负载电流过大损坏电路。 4. 逻辑电平转换 2N3906TAR 还可以用于逻辑电平转换电路中，尤其是在需要将低电平信号转换为高电平信号的场合。例如，在微控制器与外部设备之间的通信中，2N3906TAR 可以用来将TTL电平转换为更高的电压电平，确保信号的可靠传输。 5. 温度检测与保护 由于2N3906TAR 的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）随温度变化而变化，因此它可以用于简单的温度检测电路中。通过监测Vce(sat)的变化，可以间接测量环境温度，并用于过温保护电路中。 总结 2N3906TAR 是一款通用性强、性能稳定的PNP型双极晶体管，适用于开关、放大、电源管理、逻辑电平转换等多种应用场景。它的低功耗、低成本和易于使用的特性使其成为许多电子设计中的首选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 40V 200MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N3906TAR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N3906TAR |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N3906TARFSCT |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 240 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2N3906 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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