ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2N3055G
Datasheet下载- 型号： 2N3055G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N3055G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3055G价格参考。ON Semiconductor2N3055G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 15A 2.5MHz 115W 通孔 TO-204（TO-3）。您可以下载2N3055G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N3055G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N3055G是由ON Semiconductor生产的双极晶体管（BJT），属于单个晶体管类型。它是一款经典的NPN功率晶体管，广泛应用于多种电力电子和音频设备中。 应用场景： 1. 电源管理： - 2N3055G常用于线性稳压器、开关电源等电源管理系统中。其高电流处理能力和良好的散热特性使其能够稳定地控制大电流负载，确保电路的稳定性和可靠性。 2. 音频放大器： - 在音频设备中，2N3055G被用作输出级晶体管，特别是在功率放大器中。它可以提供足够的驱动能力来推动扬声器，确保音频信号不失真，音质清晰且稳定。 3. 电机驱动： - 该晶体管适用于小型电机的驱动电路。通过控制基极电流，可以调节集电极和发射极之间的电流，从而实现对电机速度和方向的精确控制。 4. 继电器驱动： - 在工业控制系统中，2N3055G可用于驱动继电器。它能够承受较大的电流冲击，并且具有较低的饱和电压降，有助于提高系统的响应速度和效率。 5. 过流保护电路： - 2N3055G可以集成到过流保护电路中，当检测到异常电流时，迅速切断电路以保护其他元件免受损坏。 6. 脉宽调制（PWM）控制： - 在PWM应用中，2N3055G可以作为开关元件使用，通过快速切换导通和截止状态来调节输出功率或电压水平。 特点与优势： - 高电流承载能力：2N3055G的最大集电极电流可达15A，适合处理大功率负载。 - 良好的散热性能：该晶体管通常配备有金属封装，便于安装散热片，确保长时间工作时的温度稳定性。 - 耐高压：其集电极-发射极击穿电压高达60V，适用于较高电压的应用场合。 综上所述，2N3055G因其优异的电气特性和广泛的适用性，在各种需要高效能、大电流处理的电路设计中占据重要地位。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 15A 60V TO3两极晶体管 - BJT NPN 15A 60V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N3055G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N3055G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 3.3A，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 4A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | 2N3055GOS |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 2.5 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 115000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 15 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 700µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | 2N3055 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 2.5MHz |
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