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  • 型号: 2N2222
  • 制造商: Central Semiconductor
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2N2222产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N2222由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N2222价格参考。Central Semiconductor2N2222封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 。您可以下载2N2222参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N2222 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N2222 是一种常见的 NPN 型双极晶体管 (BJT),由 Microsemi(现为 ON Semiconductor)生产。它广泛应用于各种电子电路中,具有多种应用场景。

 1. 开关应用
2N2222 最常见的用途之一是作为开关元件。它可以用于控制高电流或高电压负载,例如继电器、LED 或小型电机等。通过将基极与控制信号连接,可以实现对负载的通断控制。由于其低饱和电压和较快的开关速度,2N2222 在数字电路中也常被用作逻辑电平转换器。

 2. 放大电路
2N2222 还可以用于模拟信号的放大。它可以构建共射极、共集电极或共基极放大器。共射极配置是最常用的,因为它能够提供较高的增益和良好的频率响应。2N2222 的最大集电极电流为800mA,最大功率耗散为625mW,适合用于音频放大器、传感器信号放大等低功率应用。

 3. 脉宽调制 (PWM) 控制
在 PWM 应用中,2N2222 可以用来驱动直流电机或 LED 灯带。通过调节输入到基极的 PWM 信号占空比,可以控制输出电流的平均值,从而实现对电机转速或 LED 亮度的精确控制。这种应用常见于机器人、智能家居设备等。

 4. 电源管理
2N2222 也可以用于简单的电源管理电路中,例如作为线性稳压器的一部分。它可以与齐纳二极管配合使用,形成一个简易的稳压电路,为低压电路提供稳定的电源。此外,它还可以用于过流保护电路,当电流超过设定阈值时,2N2222 会自动切断电源,保护后续电路免受损坏。

 5. 通信与信号处理
在通信领域,2N2222 可以用于调制解调器、无线发射器等设备中的信号处理。它可以放大微弱的射频信号,帮助提高接收灵敏度或发射功率。此外,在一些简易的音频设备中,2N2222 也被用于麦克风前置放大器,增强音频信号。

总之,2N2222 凭借其可靠的性能和广泛的适用性,成为许多电子设计者的首选器件。无论是用于开关、放大还是信号处理,它都能表现出色,适用于从基础教学实验到实际产品开发的各种场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT NPN Silicon

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N2222

产品型号

2N2222

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Central Semiconductor

增益带宽产品fT

250 MHz

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/箱体

TO-18

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

最大功率耗散

0.4 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.8 A

最小工作温度

- 65 C

直流集电极/BaseGainhfeMin

35

系列

2N2222

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

1.6 V

集电极连续电流

0.45 A

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2N2221 2N2222 www.centralsemi.com SILICON DESCRIPTION: NPN TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221 and 2N2222 are silicon NPN epitaxial planar transistors designed for small signal, general purpose switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-18 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V Continuous Collector Current IC 800 mA Power Dissipation PD 500 mW Power Dissipation (TC=25°C) PD 1.2 W Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +200 °C Thermal Resistance ΘJA 350 °C/W Thermal Resistance ΘJC 146 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX UNITS ICBO VCB=50V - 10 nA ICBO VCB=50V, TA=150°C - 10 μA IEBO VEB=3.0V - 10 nA BVCBO IC=10μA 60 - V BVCEO IC=10mA 30 - V BVEBO IE=10μA 5.0 - V VCE(SAT) IC=150mA, IB=15mA - 0.4 V VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA - 1.6 V VBE(SAT) IC=150mA, IB=15mA 0.6 1.3 V VBE(SAT) IC=500mA, IB=50mA - 2.6 V fT VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz 250 - MHz Cob VCB=10V, IE=0, f=100kHz - 8.0 pF Cib VEB=0.5V, IC=0, f=100kHz - 30 pF R2 (24-July 2013)

2N2221 2N2222 SILICON NPN TRANSISTORS ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (TA=25°C unless otherwise noted) 2N2221 2N2222 SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX hFE VCE=10V, IC=0.1mA 20 - 35 - hFE VCE=10V, IC=1.0mA 25 - 50 - hFE VCE=10V, IC=10mA 35 - 75 - hFE VCE=10V, IC=10mA, TA=-55°C 15 - 35 - hFE VCE=10V, IC=150mA 40 120 100 300 hFE VCE=1.0V, IC=150mA 20 - 50 - hFE VCE=10V, IC=500mA 25 - 40 - TO-18 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Base 3) Collector MARKING: FULL PART NUMBER R2 (24-July 2013) www.centralsemi.com

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