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  • 型号: 2DB1188R-13
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2DB1188R-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2DB1188R-13价格参考。Diodes Inc.2DB1188R-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2DB1188R-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2DB1188R-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated 2DB1188R-13-

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产品型号

2DB1188R-13

PCN其它

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

800mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

180 @ 500mA,3V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

2DB1188RDICT

其它图纸

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

120 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

2500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

390

直流集电极/BaseGainhfeMin

180

系列

2DB1188

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

32 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

集电极—射极饱和电压

800 mV

频率-跃迁

120MHz

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