Datasheet下载- 型号： 1SS362FV,L3F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1SS362FV,L3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1SS362FV,L3F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.1SS362FV,L3F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1SS362FV,L3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1SS362FV,L3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的型号为1SS362FV,L3F的二极管整流器阵列，主要应用于需要高效、快速开关和低功耗的电子电路中。以下是其可能的应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器：该器件可用于开关电源中的整流部分，将高频交流信号转换为稳定的直流输出。 - 电压调节模块：在需要稳定电压输出的场合，如嵌入式系统或便携式设备中，用于提高效率和减少功耗。 2. 信号处理 - 高速信号整流：由于其快速恢复特性，适用于高频信号的整流和检测。 - 数据通信设备：在通信接口中，用于保护电路免受反向电流或瞬态电压的影响。 3. 消费电子产品 - 音频设备：在音响、耳机放大器等设备中，用于电源整流或保护电路。 - 家用电器：如微波炉、洗衣机等，用于控制电路中的整流功能。 4. 工业自动化 - 电机驱动：在小型电机驱动电路中，用于整流和保护，确保电机运行稳定。 - 传感器接口：在工业传感器中，用于信号调理和保护。 5. 汽车电子 - 车载电子系统：如导航系统、娱乐系统中，用于电源管理和信号整流。 - 电池管理系统：在电动车或混合动力车中，用于监测和保护电池组。 6. 保护电路 - 反向电压保护：防止因电源极性接反而导致的设备损坏。 - 浪涌电流抑制：在启动瞬间或负载变化时，保护电路免受大电流冲击。 特性总结 1SS362FV,L3F具有快速恢复时间、低正向压降和高可靠性等特点，适合在高频、低功耗的应用环境中使用。其紧凑的设计也使其成为空间受限应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | SWITCHING DIODE 80V VESM二极管 - 通用，功率，开关 Switching diode, 80V 3 pins, VESM 0.08A |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1877811&lineid=276&familyid=900140 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Toshiba 1SS362FV,L3F- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS362 |
| 产品型号 | 1SS362FV,L3F1SS362FV,L3F |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 80V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对串联 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | 1SS362FV,L3F(B |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VESM-3 |
| 峰值反向电压 | 85 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 开关配置 | Dual |
| 恢复时间 | 1.6 ns |
| 最大二极管电容 | 0.9 pF (Typ) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 正向电压下降 | 0.97 V |
| 正向连续电流 | 100 mA |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 80V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 100mA |
| 速度 | * |
| 配置 | Dual |
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