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  • 型号: 1PMT5931AE3/TR7
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT5931AE3/TR7由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT5931AE3/TR7价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1PMT5931AE3/TR7封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 18V 3W ±10% Surface Mount DO-216AA。您可以下载1PMT5931AE3/TR7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1PMT5931AE3/TR7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip Technology收购)生产的1PMT5931AE3/TR7是一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电路保护和电压调节场景。以下是该型号的具体应用场景:

 1. 过压保护
齐纳二极管的主要功能之一是提供过压保护。当电路中的电压超过齐纳二极管的击穿电压时,它会导通并将多余的电流分流到地,从而保护下游的敏感电子元件。1PMT5931AE3/TR7具有特定的击穿电压,适用于需要稳定电压输出或防止瞬态高压冲击的场合。

 2. 电压参考
在许多模拟电路中,齐纳二极管可以用作稳定的电压参考源。1PMT5931AE3/TR7可以在电源稳压器、基准电压源等应用中提供精确的电压参考点,确保电路工作在预定的电压范围内。例如,在电源管理电路中,它可以用于设定反馈电压,帮助维持输出电压的稳定性。

 3. 信号箝位
在高速通信系统或数字电路中,信号线可能会受到噪声干扰或瞬态电压的影响。使用齐纳二极管可以将信号箝位在安全的电压范围内,防止信号超出允许的最大值或最小值。1PMT5931AE3/TR7可以用于箝位输入信号,确保信号电平不会损坏后续的放大器或其他敏感组件。

 4. 温度补偿
某些应用中,齐纳二极管的温度特性可以被利用来进行温度补偿。1PMT5931AE3/TR7的温度系数相对稳定,因此可以在温度变化较大的环境中保持较好的性能一致性。例如,在精密测量仪器或传感器接口电路中,它可以帮助抵消温度变化对测量精度的影响。

 5. 浪涌吸收
在电力电子设备中,如开关电源、逆变器等,可能会遇到电压浪涌或瞬态尖峰。1PMT5931AE3/TR7可以快速响应这些瞬态事件,吸收浪涌能量,防止其对主电路造成损害。这在工业控制、汽车电子等领域尤为重要。

 总结
1PMT5931AE3/TR7作为一款高性能的单齐纳二极管,适用于多种应用场景,包括过压保护、电压参考、信号箝位、温度补偿和浪涌吸收等。其稳定性和可靠性使其成为许多关键电路设计中的理想选择,尤其是在要求高精度和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 18V 10% POWERMITE

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

1PMT5931AE3/TR7

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 13.7V

供应商器件封装

DO-216AA

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±10%

封装/外壳

DO-216AA

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

18V

阻抗(最大值)(Zzt)

12 欧姆

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